Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.6 A 1.3 W, 3-Pin IRLML2246TRPBF SOT-23

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760-4432
Distrelec-Artikelnummer:
304-45-315
Herst. Teile-Nr.:
IRLML2246TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

236mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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