Vishay IRFL9014 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung -60 V / -1.8 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 710-4654
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL9014TRPBF
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 9,46
(ohne MwSt.)
€ 11,35
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 310 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 650 Einheit(en) mit Versand ab 30. Oktober 2026
- Zusätzlich 2 500 Einheit(en) mit Versand ab 04. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,946 | € 9,46 |
| 50 - 90 | € 0,899 | € 8,99 |
| 100 - 240 | € 0,68 | € 6,80 |
| 250 - 490 | € 0,614 | € 6,14 |
| 500 + | € 0,52 | € 5,20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-4654
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL9014TRPBF
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Serie | IRFL9014 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Serie IRFL9014 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.45mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFL9014 von Vishay, -60 V Drain-Source-Spannung, 500 mΩ Drain-Source-Widerstand – IRFL9014TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in elektronischen und elektromechanischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine kontrollierte High-Side-Schaltung und thermische Robustheit in Compact SOT‐223-Gehäusen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• P-Kanal-Konfiguration ermöglicht vereinfachte High-Side-Schaltung
• Ausgelegt für eine Drain-to-Source-Beständigkeit von -60 V für robuste Spannungsbereiche
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -1,8 A unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 500 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Typische Gate-Ladung von 12 nC sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 3,1 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb in eingeschränkten Gehäusen
• Ausgelegt für eine Drain-to-Source-Beständigkeit von -60 V für robuste Spannungsbereiche
• Kontinuierlicher Ablassstrom von -1,8 A unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 500 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Typische Gate-Ladung von 12 nC sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 3,1 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb in eingeschränkten Gehäusen
Anwendungen
• Geeignet für das Schalten von High-Side-Lasten in Automationssteuerungsmodulen
• Ideal für Batteriemanagement und Strompfadsteuerungsschaltungen
• Verwendet für Motortreiber-Gate-Netzwerke in kompakten Baugruppen
• Kann zum Polaritätsschutz und zur Verhinderung von Rückstrom verwendet werden
• Ideal für Batteriemanagement und Strompfadsteuerungsschaltungen
• Verwendet für Motortreiber-Gate-Netzwerke in kompakten Baugruppen
• Kann zum Polaritätsschutz und zur Verhinderung von Rückstrom verwendet werden
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für Steuerschaltkreise zulässig?
Das Gate-to-Source kann bis zu 20 V betrieben werden, was die Kompatibilität mit einer Reihe von Controller-Ausgangsstufen ermöglicht.
Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Betriebsgrenzen aus?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, sodass das thermische Design sicherstellen sollte, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb dieses Bereichs bleiben, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.
Welche Montageaspekte gelten für Kompaktplatinen-Designs?
Es wird in einem SOT‐223-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit vier Stiften geliefert, das ein einfaches Löten der Leiterplatte und die Wärmeübertragung auf das Leiterplatten-Kupfer ermöglicht.
Welche elektrische Robustheit sollten Entwickler unter Schaltbedingungen erwarten?
Die spezifizierte Durchlassspannung von -5,5 V und die typische Gate-Ladung von 12 nC informieren die Entwickler über die Antriebsanforderungen und Schalttransienten für eine zuverlässige Gate-Steuerung.
Verwandte Links
- Vishay IRFL Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Vishay IRFL Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
