Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 911-4827
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP295H6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- BSP295H6327XTSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP295H6327XTSA1
Dieser MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung und Elektronik entwickelt. Seine N-Kanal-Konfiguration in Verbindung mit einer effizienten Oberflächenmontage ermöglicht eine effektive Stromregelung, wodurch er sich für eine Reihe von industriellen Anwendungen eignet. Er unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung für verschiedene Projekte.
Eigenschaften und Vorteile
• Bewältigt kontinuierlich einen Ableitstrom von 1,8 A
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 300 mΩ
• Großer Gate-Source-Spannungsbereich von -20V bis +20V
• Qualifiziert nach AEC-Q101 Automobilstandard für Zuverlässigkeit
Anwendungsbereich
• Energiemanagementsysteme für eine effiziente Leistungssteuerung
• Motorantriebe für zuverlässige Schaltvorgänge
• Signalverstärkung in verschiedenen elektronischen Geräten
• Elektronische Steuergeräte für Kraftfahrzeuge
Wie hoch ist die typische Verlustleistung des Bauteils?
Es kann unter bestimmten Bedingungen bis zu 1,8 W ableiten und sorgt so für ein effektives Wärmemanagement während des Betriebs.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?
Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 1,8 V, wodurch der MOSFET auch bei niedrigen Eingangspegeln eine optimale Leistung erzielen kann.
Kann dieses Bauteil gepulste Ableitströme verarbeiten?
Ja, er ist für einen gepulsten Ableitstrom von bis zu 6 A ausgelegt, so dass er transiente Bedingungen effektiv bewältigen kann.
Welche Verpackungsmöglichkeiten gibt es?
Der MOSFET ist in einem oberflächenmontierbaren SOT-223-Gehäuse erhältlich, das für platzsparende Designs optimiert ist.
Entspricht das Gerät den Umweltnormen?
Es verfügt über eine Pb-freie Bleibeschichtung und entspricht der RoHS-Richtlinie und erfüllt damit die aktuellen Umweltvorschriften.