Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 445-2281
Herst. Teile-Nr.:: BSP89H6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP89H6327XTSA1

Dieser MOSFET ist eine Schlüsselkomponente für elektronische Hochspannungsanwendungen und bietet effektive Schaltfunktionen. Durch die Verwendung der N-Kanal-Enhancement-Mode-Technologie ist er für die Automobil- und Industrieelektronik geeignet und gewährleistet einen effizienten Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Das SOT-223-Gehäuse ermöglicht eine vielseitige Oberflächenmontage und eignet sich daher für moderne Schaltungsdesigns.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 350 mA
• Hohe Drain-Source-Spannung von 240 V für erhöhte Sicherheit
• Niedrige Gate-Schwellenspannung verbessert die Empfindlichkeit
• Verlustleistung von bis zu 1,8 W
• Ideal für Anwendungen auf Logikebene mit schnellen Schaltzeiten

Anwendungsbereich

• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik
• MOSFET-basierte Schaltnetzteile
• Signalverstärkung in elektronischen Schaltungen

Wie groß ist der maximale Temperaturbereich für den Betrieb?

Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?

Eine niedrige Gate-Schwellenspannung ermöglicht es dem MOSFET, bei niedrigeren Eingangsspannungen zu aktivieren, was den Wirkungsgrad in batteriebetriebenen Geräten erhöht.

Welche Art der Befestigung ist mit diesem Gerät kompatibel?

Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage in einem SOT-223-Gehäuse ausgelegt, was eine einfache Integration in Leiterplatten ermöglicht.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?

Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 1,4 A bewältigen und bietet damit zusätzliche Flexibilität für Burst-Power-Anwendungen.

Ist es für die Verwendung mit Mikrocontrollern geeignet?

Ja, seine Kompatibilität auf Logikebene ermöglicht die direkte Verbindung mit Mikrocontroller-Ausgängen für eine effektive Steuerung.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	350 mA
Drain-Source-Spannung max.	240 V
Serie	SIPMOS®
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.8V
Gate-Schwellenspannung min.	0.8V
Verlustleistung max.	1,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,3 nC @ 10 V
Länge	6.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.6mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	-55 °C