Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 445-2281
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP89H6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP89H6327XTSA1
Dieser MOSFET ist eine Schlüsselkomponente für elektronische Hochspannungsanwendungen und bietet effektive Schaltfunktionen. Durch die Verwendung der N-Kanal-Enhancement-Mode-Technologie ist er für die Automobil- und Industrieelektronik geeignet und gewährleistet einen effizienten Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Das SOT-223-Gehäuse ermöglicht eine vielseitige Oberflächenmontage und eignet sich daher für moderne Schaltungsdesigns.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 350 mA
• Hohe Drain-Source-Spannung von 240 V für erhöhte Sicherheit
• Niedrige Gate-Schwellenspannung verbessert die Empfindlichkeit
• Verlustleistung von bis zu 1,8 W
• Ideal für Anwendungen auf Logikebene mit schnellen Schaltzeiten
Anwendungsbereich
• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik
• MOSFET-basierte Schaltnetzteile
• Signalverstärkung in elektronischen Schaltungen
Wie groß ist der maximale Temperaturbereich für den Betrieb?
Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf die Leistung aus?
Eine niedrige Gate-Schwellenspannung ermöglicht es dem MOSFET, bei niedrigeren Eingangsspannungen zu aktivieren, was den Wirkungsgrad in batteriebetriebenen Geräten erhöht.
Welche Art der Befestigung ist mit diesem Gerät kompatibel?
Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage in einem SOT-223-Gehäuse ausgelegt, was eine einfache Integration in Leiterplatten ermöglicht.
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 1,4 A bewältigen und bietet damit zusätzliche Flexibilität für Burst-Power-Anwendungen.
Ist es für die Verwendung mit Mikrocontrollern geeignet?
Ja, seine Kompatibilität auf Logikebene ermöglicht die direkte Verbindung mit Mikrocontroller-Ausgängen für eine effektive Steuerung.
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