Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 177-7608
Herst. Teile-Nr.:: IRFL210TRPBF
Hersteller:: Vishay

Vishay IRFL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 960 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	960mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	IRFL
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.2nC
	Maximale Verlustleistung Pd	3.1W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.8mm
	Länge	6.7mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 960mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie IRFL
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC
	Maximale Verlustleistung Pd 3.1W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.8mm
	Länge 6.7mm
	Automobilstandard Nein

IRFL210, SiHFL210, Power MOSFET

Leistungs-MOSFET der Serie IRFL210 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 960 mA – IRFL210TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für das Schalten und Verstärken in elektronischen Steuer- und Leistungsumwandlungsstromkreisen entwickelt wurde. Er bietet eine Hochspannungsfähigkeit und einen Gate-Drive-Bereich, der für die Niederspannungssteuerung geeignet ist, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die ein kompaktes SOT-223-Gehäuse und eine moderate kontinuierliche Drain-Leistung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 200 V Vds ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 1,5 Ω Rds bieten einen vorhersehbaren Einschaltwiderstand für die Laststeuerung
• 960 mA kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Lasten
• 8,2 nC typische Gate-Ladung ermöglicht niedrige Antriebsenergieanforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Margen
• 3,1 W Verlustleistung für thermische Planung in eingeschränkten Baugruppen

Anwendungen

• Geeignet für Mittelspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für die Steuerung von Motorantrieben in kleinen Automatisierungssystemen
• Wird für die Schaltregelung in der Messtechnik verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Schalttafeln verwendet werden

Welchen Betriebstemperaturbereich kann ich für Zuverlässigkeit erwarten?

Das Gerät arbeitet von -55 °C bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C, was das thermische Design und die Derating für einen dauerhaften Einsatz informiert.

Wie sollte ich die verpackungsbedingten thermischen Grenzwerte berücksichtigen?

Die maximale Verlustleistung beträgt 3,1 W

muss das Wärmemanagement die Leiterplatten-Kupferfläche und die Umgebungsbedingungen berücksichtigen, um diese Grenze nicht zu überschreiten.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?

Die Gate-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxid-Bestressung zu verhindern, und die typische Gate-Ladung von 8,2 nC bestimmt den erforderlichen Antriebsstrom für Schaltgeschwindigkeiten.

Welche mechanischen Fußabmessungen gibt es für die Montage?

Die Komponente wird in einem SOT-223-Gehäuse mit einer Pinanzahl von 4 geliefert, was das Lötpad-Layout und die Reflow-Profile beeinflusst.

Gibt es Einschränkungen für die Dauerstromfähigkeit?

Der kontinuierliche Ableitstrom ist auf 960 mA angegeben, sodass die Ausführungen einen Spielraum für Einschalt- und Einschaltbedingungen enthalten sollten.