Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 mW, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 708-4884
Herst. Teile-Nr.:: IRLU110PBF
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 mW, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:: 708-4884
Herst. Teile-Nr.:: IRLU110PBF
Hersteller:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A IPAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4.3 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	540 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2500 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	2.38mm
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,1 nC bei 5 V
Höhe	6.22mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 mW, 3-Pin IPAK (TO-251)

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N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

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