onsemi Einfach 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 671-5335
Herst. Teile-Nr.:: FQU11P06TU
Hersteller:: onsemi

onsemi Einfach 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:: 671-5335
Herst. Teile-Nr.:: FQU11P06TU
Hersteller:: onsemi

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	185mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-30V, +30V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Anzahl der Elemente pro Chip	1

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße IPAK (TO-251)
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Anzahl der Elemente pro Chip 1

Verstärkungsmodus P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs von ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semis mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Merkmale und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignal-Schalter

• Zellendesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Überlegenes Schalten

• Sehr robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastumschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromverwaltungssteuerung

• DC-Motorsteuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi Einfach 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Verstärkungsmodus P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

Merkmale und Vorteile:

Anwendungen:

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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