onsemi N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 325-7580
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD14N05L
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 325-7580
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD14N05L
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10V, +10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Länge | 6.8mm | |
| Breite | 2.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10V, +10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.3mm | ||
Länge 6.8mm | ||
Breite 2.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Verwandte Links
- onsemi Einfach SuperFET II N-Kanal 1 3-Pin IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics MDmesh N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay N-Kanal Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi Einfach 1 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)