onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 325-7580
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD14N05L
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 325-7580
- Herst. Teile-Nr.:
- RFD14N05L
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Länge | 6.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.3mm | ||
Länge 6.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay Typ N-Kanal Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi Einfach SuperFET II Typ N-Kanal 1 MOSFET 600 V Erweiterung / 4.5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU Typ N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi UniFET N-Kanal5 A 90 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)