DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 4,02

(ohne MwSt.)

€ 4,825

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 940 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 0,804€ 4,02
25 - 120€ 0,64€ 3,20
125 - 245€ 0,506€ 2,53
250 +€ 0,488€ 2,44

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
708-2554
Herst. Teile-Nr.:
ZXMP6A18DN8TA
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.85V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Breite

4 mm

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links