STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,42

(ohne MwSt.)

€ 6,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1 626 Einheit(en) mit Versand ab 12. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +€ 2,71€ 5,42

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
687-5093
Herst. Teile-Nr.:
STB100NF04T4
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STripFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.35 mm

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links