STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
687-5065
Herst. Teile-Nr.:
STB120NF10T4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STripFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

172nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.35 mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

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