STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
687-5197
Herst. Teile-Nr.:
STB55NF06T4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STripFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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