STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
151-907
Herst. Teile-Nr.:
STD12NF06LT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Breite

6.6 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt. Dadurch eignet sich der Baustein für den Einsatz als Primärschalter in fortschrittlichen isolierten DC-DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen sowie für Anwendungen mit geringen Anforderungen an die Gate-Ladung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

100% Avalanche-getestet

Niedrige Gate-Ladung

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