onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0508
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 4,13
(ohne MwSt.)
€ 4,955
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Lieferengpass
- Zusätzlich 70 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
- Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
- Zusätzlich 8 635 Einheit(en) mit Versand ab 21. September 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,826 | € 4,13 |
| 50 - 95 | € 0,71 | € 3,55 |
| 100 - 495 | € 0,616 | € 3,08 |
| 500 - 995 | € 0,542 | € 2,71 |
| 1000 + | € 0,494 | € 2,47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0508
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | FDS | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie FDS | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi FDS Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi FDS Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi NTMS Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin SOIC