onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
671-0508
Herst. Teile-Nr.:
FDS4435BZ
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

FDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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