onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 124-1706
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Hersteller:
- onsemi
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 124-1706
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | FDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie FDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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