onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 13.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2445
Herst. Teile-Nr.:
FDS4465
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

FDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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