onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 13.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-2445
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4465
- Hersteller:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4465
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | FDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie FDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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