Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 541-1584
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-352
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP3710PBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.3mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 57A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRFP3710PBF
Dieser MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen konzipiert. Er verfügt über eine N-Kanal-Konfiguration und bewältigt einen hohen kontinuierlichen Drain-Strom, wodurch eine effektive Leistung auch bei hohen Temperaturen gewährleistet wird, und weist einen niedrigen On-Widerstand auf, wodurch er für industrielle Umgebungen geeignet ist.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt starke Leistung
• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V erhöht die Vielseitigkeit
• Niedriger RDS(on) von 25mΩ minimiert den Energieverlust während des Betriebs
• Hohe Verlustleistung von 200 W ermöglicht effektives Energiemanagement
• Enhancement-Mode-Transistor ermöglicht die Kontrolle über Schaltvorgänge
• TO-247AC-Gehäuse erleichtert die Integration in Durchgangslochanwendungen
Anwendungsbereich
• Ideal für Stromversorgungsschaltungen
• Häufig in Motorsteuerungssystemen zu finden
• Geeignet für Power-Management-Lösungen im Automobilbereich
• Verwendet in Batteriemanagementsystemen
Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Gerät?
Die maximale Betriebstemperatur beträgt bis zu +175°C und ermöglicht einen effizienten Betrieb in Hochtemperaturumgebungen.
Wie kommt dieses Gerät mit hohen Strömen zurecht?
Er unterstützt einen kontinuierlichen Drain-Strom von 57 A und kann so auch anspruchsvolle Anwendungen ohne Ausfall versorgen.
Kann es in einem Durchgangslochdesign verwendet werden?
Ja, das TO-247AC-Gehäuse ermöglicht die Durchsteckmontage, was die Integration in verschiedene Leiterplatten vereinfacht.
Welche Art von Last kann dieser MOSFET schalten?
Dieses Gerät kann aufgrund seiner hohen Verlustleistung von 200 W erhebliche Lasten bewältigen und eignet sich für Hochleistungsanwendungen.
Ist es mit Standard-Gate-Spannungen kompatibel?
Ja, er arbeitet effektiv mit einer Gate-Schwellenspannung zwischen 2V und 4V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Treiberschaltungen gewährleistet.
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