Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 688-7008
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4332PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 3,72

(ohne MwSt.)

€ 4,46

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Vorübergehend ausverkauft

400 Einheit(en) mit Versand ab 25. Juni 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	€ 1,86	€ 3,72
10 - 18	€ 1,675	€ 3,35
20 - 48	€ 1,56	€ 3,12
50 - 98	€ 1,45	€ 2,90
100 +	€ 1,355	€ 2,71

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 688-7008
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4332PBF
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	57A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	33mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	360W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	99nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	20.3mm
	Länge	15.9mm
	Breite	5.3 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 360W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 20.3mm
	Länge 15.9mm
	Breite 5.3 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.