Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 57 A 89 W SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-9296
Herst. Teile-Nr.:
IRF6644TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Zweifachseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)

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