Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 89 W SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9296
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6644TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 57 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF6644TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten SO-8-Gehäuse für die Montage auf Leiterplatten geliefert. Das Gerät eignet sich für Bereiche, in denen eine hohe Strombelastbarkeit und ein geringer Durchlassverlust erforderlich sind, und erfüllt die RoHS-Umweltbeschränkungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennspannung von 100 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 57 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• 13 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 89 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 28 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• 57 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• 13 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 89 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 28 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Netzteilen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für High-Side- oder Low-Side-Schaltvorgänge verwendet werden
• Geeignet für Zwischenbus- und Stromverwaltungsschaltkreise
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für High-Side- oder Low-Side-Schaltvorgänge verwendet werden
• Geeignet für Zwischenbus- und Stromverwaltungsschaltkreise
Wie groß ist der zulässige Umgebungstemperaturbereich?
Es funktioniert bei einer Temperatur von mindestens -55 °C bis zu maximal 150 °C.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Antriebs beachtet werden?
Das Gate darf ±20 V gegenüber der Quelle nicht überschreiten, um Schäden zu vermeiden.
Wie verhält sich die intrinsische Diode bei der Vorwärtsleitung?
Die eingebaute Diode weist während der Leitung eine Durchlassspannung von 1,3 V auf.
Welche Verpackung ist für die Leiterplattenmontage zu erwarten?
Er wird in einem oberflächenmontierten SO-8-Gehäuse geliefert, das für die Standard-Lötmontage geeignet ist.
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