Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
218-3095
Herst. Teile-Nr.:
IRF3710STRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

EIA 418

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Dynamische dv/dt-Bewertung

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Bleifrei

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