Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

€ 497,60

(ohne MwSt.)

€ 596,80

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 - 800€ 0,622€ 497,60
1600 +€ 0,591€ 472,80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3095
Herst. Teile-Nr.:
IRF3710STRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.8W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

EIA 418

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Dynamische dv/dt-Bewertung

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Bleifrei

Verwandte Links