Vishay SQJ162EP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 166 A 250 W, 4-Pin SO-8L

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RS Best.-Nr.:
280-0019
Herst. Teile-Nr.:
SQJ162EP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

166A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8L

Serie

SQJ162EP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.005Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

VISHAYs Automotive MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

AEC-Q101-qualifiziert

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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