Vishay TrenchFET Dual-N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 60 V / 21 A 35 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 790-425
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Dual-N-Kanal | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0305Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Dual-N-Kanal | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0305Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der duale N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Automotive bietet robuste Leistung über einen breiten Temperaturbereich und wurde für die effiziente Verwaltung von Schalt- und Antriebsanwendungen in Automobilsystemen entwickelt.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET-Technologie gewährleistet effizienten Betrieb
AEC-Q101-qualifiziert für Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
100 % R- und UIS-geprüft für garantierte Leistungssicherheit
Niedrige Widerstandswerte im eingeschalteten Zustand tragen zu einer verbesserten Effizienz bei
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