Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 100 V / 95 A 185 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 790-421
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ112EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0077Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 185W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0077Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 185W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Automotive ist für 100 V ausgelegt und wurde für eine hocheffiziente Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt, um einen zuverlässigen Betrieb auch bei extremen Temperaturen von bis zu 175 °C zu gewährleisten.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie optimiert die Schalteigenschaften
AEC Q101 qualifiziert für Automotive-Quality-Zuverlässigkeit
100 % R- und UIS-geprüft für verbesserte Haltbarkeit
Kontinuierlicher Ablassstrom von 95 A bei 25 °C
Einschaltwiderstand von nur 0,0077 Ω bei 10 V
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