Vishay Siliconix SQJ872EP N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3903
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Serie | SQJ872EP | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0395Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Serie SQJ872EP | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0395Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie SQJ872EP von Vishay Siliconix, 150 V Drain-Source-Spannung, 24,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SQJ872EP-T1_GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für Anwendungen in der Automobilklasse geeignet ist, und wird in einem kompakten SO-8L-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine robuste Stromverarbeitung und effizientes Schalten bei erhöhten Spannungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 150 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 24,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0,0395 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 14 nC typische Gate-Ladung sorgt für reaktionsschnelles Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 55 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
• 24,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0,0395 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 14 nC typische Gate-Ladung sorgt für reaktionsschnelles Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 55 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandler in industriellen Automatisierungssystemen
• Wird für Motorantriebsstufen in elektrischen und mechanischen Geräten verwendet
• Kann zum Schalten der Stromversorgung in Telematik- und Steuereinheiten verwendet werden
• Ideal für DC/DC-Wandler in industriellen Automatisierungssystemen
• Wird für Motorantriebsstufen in elektrischen und mechanischen Geräten verwendet
• Kann zum Schalten der Stromversorgung in Telematik- und Steuereinheiten verwendet werden
Welche Befestigungsmethode sollte für eine zuverlässige Montage verwendet werden?
Das Gerät ist für die Leiterplattenmontage in einer SO-8L-Grundfläche vorgesehen, um einen stabilen elektrischen und thermischen Kontakt zu gewährleisten.
Wie verhält sich das Gerät bei weiten Temperatur extremen Bedingungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Umgebungen, wie sie in Automobil- und Industrieumgebungen auftreten.
Welche Eigenschaften beeinflussen Schaltverluste am unmittelbarsten?
Schaltverluste werden durch die typische Gate-Ladung von 14 nC und die Kombination von Rds(on) mit Ablassspannung während der Übergänge beeinflusst.
Wie viele Stifte sind für Schaltkreisanschlüsse verfügbar?
Das Gehäuse bietet acht Pins für Standard-SO-8L-Leiterplatten-Layouts und Routing-Anforderungen.
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