Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 178-3873
Herst. Teile-Nr.:: SQJ431AEP-T1_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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RS Best.-Nr.:: 178-3873
Herst. Teile-Nr.:: SQJ431AEP-T1_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	9,4 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	760 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	68 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	5mm
Länge	5.99mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	55 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9,4 A 68 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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