Vishay SQ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 280-0008
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2309CES-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 8,925
(ohne MwSt.)
€ 10,70
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,357 | € 8,93 |
| 50 - 75 | € 0,349 | € 8,73 |
| 100 - 225 | € 0,318 | € 7,95 |
| 250 - 975 | € 0,311 | € 7,78 |
| 1000 + | € 0,305 | € 7,63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 280-0008
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2309CES-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SQ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.704Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SQ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.704Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
VISHAYs Automotive MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil