Vishay SQ Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 152-6376
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2361ES-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2361ES-T1_GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SQ | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.177Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SQ | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.177Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
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