Vishay SQ2308FES Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 2.3 A 2 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 653-059
Herst. Teile-Nr.:: SQ2308FES-T1_GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SQ2308FES Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 2.3 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 653-059
Herst. Teile-Nr.:: SQ2308FES-T1_GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	SQ2308FES
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.15Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	5.3nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	1.12mm
	Breite	2.64mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	3.04mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie SQ2308FES
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.15Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.3nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 1.12mm
	Breite 2.64mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 3.04mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SQ2308FES-T1_GE3

Einfache MOSFETs der Serie SQ2308FES von Vishay, 60 V Drain-Quellenspannung, 2,3 A kontinuierlicher Drain-Strom - SQ2308FES-T1_GE3

Dieser einzelne MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Steuerungsaufgaben in elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Es handelt sich um einen oberflächenmontierten MOSFET in einem kompakten SOT-23-Gehäuse, der für die Leiterplattenmontage und Anwendungen bestimmt ist, die eine moderate Strombelastbarkeit und Spannungsblockade in Industrie- und Automobilkontexten erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 60 V bietet eine robuste Spannungsspanne für das Schalten
• 2,3 A Dauerstromkapazität unterstützt Lasten mittlerer Leistung
• 0,15 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• 5,3 nC Gate-Ladung ermöglicht eine reaktionsschnelle Gate-Drive-Leistung
• Die Verlustleistung von 2 W ermöglicht eine zuverlässige thermische Handhabung in kleinen Gehäusen
• 20-V-Gate-Nennwert für gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Kfz-Hilfsstromschaltungen gemäß AEC‐Q101-Standards
• Ideal für Lastschaltvorgänge in industriellen Automatisierungssteuerungen
• Wird für DC/DC-Umwandlungsstufen in kompakten Netzteilen verwendet
• Kann für Motortreiberstufen in kleinen elektromechanischen Systemen verwendet werden
• Wird mit Batteriemanagementkreisen für mittlere Strompfade verwendet

Welche Temperatur extremen Temperaturen kann es in anspruchsvollen Umgebungen tolerieren?

Das Gerät ist für den Betrieb in einem Bereich von -55 °C bis 175 °C für Sperrschicht- oder Betriebstemperaturgrenzen spezifiziert.

Wie viele Stifte hat das Gehäuse und wie wirkt sich das auf das Layout aus?

Das SOT-23-Gehäuse bietet drei Pins, was die Anforderungen an die Grundfläche vereinfacht und kompakte Leiterplatten-Layouts für Einzel-Switch-Implementierungen ermöglicht.

Welche Fertigungs- und Umweltverträglichkeit erfüllt er?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe und unterstützt bleifreie Fertigungsprozesse.

Welche mechanischen Gehäuseabmessungen sind für die Montage relevant?

Das Gerät misst ca. 3,04 mm in der Länge, 2,64 mm in der Breite und 1,12 mm in der Höhe, was die Platzierung in dichten Baugruppen erleichtert.