Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
279-9997
Herst. Teile-Nr.:
SISS52DN-T1-UE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SISS

Gehäusegröße

1212-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0012Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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