Vishay SISS26DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 1,80

(ohne MwSt.)

€ 2,16

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 1,80
10 - 24€ 1,18
25 - 99€ 0,65
100 - 499€ 0,64
500 +€ 0,62

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
736-351
Herst. Teile-Nr.:
SISS26DN-T1-UE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SISS26DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0045Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3mm

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für Power-Management-Anwendungen entwickelt und zeichnet sich durch robuste Spezifikationen und effizienten Betrieb aus, die auf anspruchsvolle elektronische Umgebungen zugeschnitten sind.

Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet überlegene Leistung und Effizienz

Geeignet für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 60 V

Verwandte Links