Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 91 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 735-141
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSD4604LDN
- Hersteller:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 1,43
(ohne MwSt.)
€ 1,72
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | € 1,43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-141
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSD4604LDN
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0034Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 60V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0034Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 60V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen
57 W Verlustleistung
28 A kontinuierlicher Ablassstrom
Niedrige maximale Gesamt-Gate-Ladung von 15 nC
Verwandte Links
- Vishay SiS N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SISS26DN N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS52DN N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS30DN N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- Vishay SISS126DN N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SISS64DN N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S