Vishay SiS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
735-132
Herst. Teile-Nr.:
SiSD5110DN
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

100V

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4mm

Länge

4mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-TrenchFET Gen V-Leistungs-MOSFET von Vishay ist für verlustarme Schaltvorgänge in KI-Leistungsserver-Lösungen und Netzteilen mit hoher Dichte optimiert. Er erreicht eine Nennleistung von 100 V Drain-Source mit einem außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 9,5 mΩ bei 10 V Gate-Antrieb, um Leitungsverluste zu minimieren.

55 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TC=25 °C

57 W maximale Verlustleistung

Niedrige Gesamt-Gate-Ladung von maximal 29 nC

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