Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 37.1 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9953
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5623DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5623DP-T1-RE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SiR | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SiR | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
Leistungs-MOSFET der neuen Generation
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil