Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 37.1 A 59.5 W, 8-Pin SO-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
279-9953
Herst. Teile-Nr.:
SIR5623DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

37.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.024Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Verlustleistung Pd

59.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

Leistungs-MOSFET der neuen Generation

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

FOM-Produkt mit extrem niedrigem RDS x Qg

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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