Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 47.6 A 59.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9944
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*
€ 10,852
(ohne MwSt.)
€ 13,024
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 6 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | € 2,713 | € 10,85 |
| 60 - 96 | € 2,653 | € 10,61 |
| 100 - 236 | € 2,358 | € 9,43 |
| 240 - 996 | € 2,313 | € 9,25 |
| 1000 + | € 2,265 | € 9,06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9944
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0125Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0125Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet