Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9916
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.159Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.159Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH155N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er kombiniert eine robuste Bemessungsspannung mit einer erheblichen Dauerstromfähigkeit und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine effiziente Schaltung und thermische Toleranz über einen breiten Umgebungsbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung des Hochlastbetriebs
• 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 156 W unterstützt die Handhabung höherer Leistung
• 38 nC typische Gate-Ladung für kontrollierte Schaltübergänge
• Die Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung des Hochlastbetriebs
• 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 156 W unterstützt die Handhabung höherer Leistung
• 38 nC typische Gate-Ladung für kontrollierte Schaltübergänge
• Die Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Wird mit synchrone Gleichrichtung und Schaltstufen verwendet
• Kann für Hochleistungs-LED-Treiberkreise verwendet werden
• Einsatz in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten
• Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Wird mit synchrone Gleichrichtung und Schaltstufen verwendet
• Kann für Hochleistungs-LED-Treiberkreise verwendet werden
• Einsatz in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten
In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?
Er funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Kaltstarts und erhöhte Betriebstemperaturen.
Welche Verpackungs- und Montageverfahren wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für eine flache Leiterplattenmontage und einen effizienten Wärmekontakt ausgelegt ist.
Wie viele Pins sind für den Anschluss und die Steuerung verfügbar?
Vier Pins sind zur Implementierung von Drain-, Source- und Gate-Anschlüssen in Standard-MOSFET-Konfigurationen vorgesehen.
Was ist die Durchlassspannungseigenschaft des Geräts für die eigensichere Diodenleitung relevant?
Die eingebaute Diode weist während der Leitung eine typische Durchlassspannung von 1,2 V auf.
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