Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 279-9915
Herst. Teile-Nr.:: SIHH155N60EF-T1GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:: 279-9915
Herst. Teile-Nr.:: SIHH155N60EF-T1GE3
Hersteller:: Vishay

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Serie	SIHH
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.159Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	38nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Serie SIHH
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.159Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH155N60EF-T1GE3

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH155N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er kombiniert eine robuste Bemessungsspannung mit einer erheblichen Dauerstromfähigkeit und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine effiziente Schaltung und thermische Toleranz über einen breiten Umgebungsbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung des Hochlastbetriebs
• 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 156 W unterstützt die Handhabung höherer Leistung
• 38 nC typische Gate-Ladung für kontrollierte Schaltübergänge
• Die Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Wird mit synchrone Gleichrichtung und Schaltstufen verwendet
• Kann für Hochleistungs-LED-Treiberkreise verwendet werden
• Einsatz in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten

In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?

Er funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Kaltstarts und erhöhte Betriebstemperaturen.

Welche Verpackungs- und Montageverfahren wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für eine flache Leiterplattenmontage und einen effizienten Wärmekontakt ausgelegt ist.

Wie viele Pins sind für den Anschluss und die Steuerung verfügbar?

Vier Pins sind zur Implementierung von Drain-, Source- und Gate-Anschlüssen in Standard-MOSFET-Konfigurationen vorgesehen.

Was ist die Durchlassspannungseigenschaft des Geräts für die eigensichere Diodenleitung relevant?

Die eingebaute Diode weist während der Leitung eine typische Durchlassspannung von 1,2 V auf.