Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8300
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHH | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH085N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Systeme, die eine robuste Ablass-Quellenspannungstoleranz und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und wird in einem kompakten PowerPAK 8x8-Gehäuse für die flache Leiterplattenmontage geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung für Schaltvorgänge mit erhöhter Spannung
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 0.085 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 184 W für eine hohe thermische Spanne
• Gate-Toleranz von ±30 V zur Anpassung an unterschiedliche Gate-Drive-Pegel
• Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 0.085 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 184 W für eine hohe thermische Spanne
• Gate-Toleranz von ±30 V zur Anpassung an unterschiedliche Gate-Drive-Pegel
• Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Ideal für Front-End-Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die eine hohe Leistungsaufnahme erfordern
• Kann für industrielle Schaltnetzteile verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für Front-End-Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die eine hohe Leistungsaufnahme erfordern
• Kann für industrielle Schaltnetzteile verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Leistungsumwandlungsmodule
Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen, wenn es mit einem geeigneten Wärmemanagement kombiniert wird.
Wie unterstützt das Paket die Implementierung auf Board-Ebene?
Das PowerPAK 8x8-Format für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche mit einer Vier-Pin-Anordnung, die für die automatisierte Montage und eine effiziente thermische Leiterplattenverlegung geeignet ist.
Was ist der Kanalmodus und welche Auswirkungen hat er auf das Schaltungsdesign?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das zum Einschalten einen positiven Gate-to-Source-Antrieb benötigt, wodurch einfache High-Side- oder Low-Side-Schalttopologien mit geeigneten Gate-Treibern möglich sind.
Gibt es Umwelt- oder regulatorische Materialüberlegungen?
Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen, was bedeutet, dass sie frei von bestimmten eingeschränkten Substanzen für konformitätsorientierte Designs ist.
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