Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 268-8301
Herst. Teile-Nr.:: SIHH085N60EF-T1GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:: 268-8301
Herst. Teile-Nr.:: SIHH085N60EF-T1GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHH
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.085Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHH
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 8mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: TW

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH085N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Systeme, die eine robuste Ablass-Quellenspannungstoleranz und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und wird in einem kompakten PowerPAK 8x8-Gehäuse für die flache Leiterplattenmontage geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Drain-Source-Nennleistung für Schaltvorgänge mit erhöhter Spannung
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 0.085 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 184 W für eine hohe thermische Spanne
• Gate-Toleranz von ±30 V zur Anpassung an unterschiedliche Gate-Drive-Pegel
• Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Ideal für Front-End-Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die eine hohe Leistungsaufnahme erfordern
• Kann für industrielle Schaltnetzteile verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Leistungsumwandlungsmodule

Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen, wenn es mit einem geeigneten Wärmemanagement kombiniert wird.

Wie unterstützt das Paket die Implementierung auf Board-Ebene?

Das PowerPAK 8x8-Format für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche mit einer Vier-Pin-Anordnung, die für die automatisierte Montage und eine effiziente thermische Leiterplattenverlegung geeignet ist.

Was ist der Kanalmodus und welche Auswirkungen hat er auf das Schaltungsdesign?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das zum Einschalten einen positiven Gate-to-Source-Antrieb benötigt, wodurch einfache High-Side- oder Low-Side-Schalttopologien mit geeigneten Gate-Treibern möglich sind.

Gibt es Umwelt- oder regulatorische Materialüberlegungen?

Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen, was bedeutet, dass sie frei von bestimmten eingeschränkten Substanzen für konformitätsorientierte Designs ist.