Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
279-9912
Herst. Teile-Nr.:
SIHG155N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

SIHG

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.159Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E mit Fast-Body-Diode, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

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