Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-247AC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8297
Herst. Teile-Nr.:
SIHG085N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

SIHG

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay mit einer schnellen Gehäusediode mit reduzierten Schalt- und Leitungsverlusten wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Netzteilen mit Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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