Vishay SI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.1 W, 3-Pin SOT-23

View all MOSFET
Bulk discount available

Subtotal (1 pack of 20 units)*

€ 11,00

(exc. VAT)

€ 13,20

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 2 960 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units
Per unit
Per Pack*
20 - 20€ 0,55€ 11,00
40 - 80€ 0,481€ 9,62
100 - 280€ 0,43€ 8,60
300 - 980€ 0,421€ 8,42
1000 +€ 0,412€ 8,24

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
279-9893
Mfr. Part No.:
SI2392BDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SI

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.149Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

Related links