Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin PG-TO-220

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RS Best.-Nr.:
273-7467
Herst. Teile-Nr.:
IPP086N10N3GXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-TO-220

Serie

OptiMOS-TM3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

40 mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC1

Länge

40mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert. Er ist ein N-Kanal-MOSFET und halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Hervorragende Gate-Ladung

Sehr niedriger Durchgangswiderstand

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