Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 106 A 48 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

RS Best.-Nr.:: 273-5247
Herst. Teile-Nr.:: BSZ0902NSATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 106 A 48 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:: 273-5247
Herst. Teile-Nr.:: BSZ0902NSATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	106A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PG-TSDSON-8FL
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	48W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 106A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PG-TSDSON-8FL
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 48W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ0902NSATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 106 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ0902NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungstransistor, der für den oberflächenmontierten Einsatz in Hochstromschalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen entwickelt wurde. Er unterstützt breite Betriebstemperaturen und eignet sich für Konstruktionen, die eine robuste Wärmebehandlung und geringere Leitungsverluste erfordern. Das Gerät entspricht den einschlägigen Material- und Umweltstandards und ist für die Low-Profile-Leiterplatten-Integration konfiguriert.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 3,5 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Die Verlustleistung von 48 W ermöglicht eine dauerhafte Handhabung der thermischen Belastung
• 26 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Schalten bei kontrollierten Antriebsanforderungen
• Die maximale Gate-Spannung von 20 V bietet Spielraum für Gate-Drive-Designs
• Der Bemessungsbetrieb von -55 °C bis 150 °C unterstützt ein breites Spektrum an thermischen Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Leistungsstufen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsschaltkreisen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Verteilungsschutz verwendet werden
• Wird mit kompakten oberflächenmontierten Baugruppen auf thermisch gesteuerten Leiterplatten verwendet

Welches Gehäuse wird für die flache Oberflächenmontage bereitgestellt?

Er wird in einem PG-TSDSON-8FL-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist.

Wie bewältigt das Bauteil kurzfristige thermische Belastungen?

Das Gerät ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 48 W, was seine thermische Belastbarkeit bei ausreichender Leiterplattenkühlung bestimmt.

Was sind die elektrischen Grenzwerte für Gate- und Ablassklemmen?

Das Gate kann bis zu 20 V betrieben werden, während der Drain-to-Source bis zu 30 V standhält.

Ist dieses Teil für Kfz-Spezifikationen vorgesehen?

Er ist nicht als Kfz-Klassifizierung eingestuft, erfüllt jedoch RoHS- und spezifizierte IEC- und DIN-Umwelt- und Materialstandards.