Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 106 A 48 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:
273-5248
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0902NSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

106A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET hat eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet. Es handelt sich um einen optimierten Buck-Wandler mit hoher Leistung.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Sehr geringer Einschaltwiderstand

Überlegene Wärmebeständigkeit

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