Infineon ISZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A, 8-Pin PG-TSDSON-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 273-5359
- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | ISZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8FL | ||
Serie ISZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | ||
Der Infineon Power MOSFET ist ein optimierter Buck-Wandler mit hoher Leistung. Dieser Leistungs-MOSFET hat eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er hat einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand und ist gemäß JEDEC-Standard qualifiziert.
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Überlegene Wärmebeständigkeit
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