Infineon IPP65R190CFD7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 77 W, 3-Pin PG-TO220-3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 4,97

(ohne MwSt.)

€ 5,964

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 500 Einheit(en) mit Versand ab 29. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 2,485€ 4,97
10 - 18€ 2,26€ 4,52
20 - 24€ 2,21€ 4,42
26 - 48€ 2,065€ 4,13
50 +€ 1,915€ 3,83

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-3022
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R190CFD7AAKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPP65R190CFD7A

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

77W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AECQ101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 650-V-Kühl-MOS-N-Kanal-Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET. Er verfügt über die höchste Zuverlässigkeit im Feld, um die Anforderungen an die Lebensdauer in der Automobilindustrie zu erfüllen.

Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte

Granular-Portfolio erhältlich

Verwandte Links