Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -16.4 A 63 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-3012
Herst. Teile-Nr.:
IPD900P06NMATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-16.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-27nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Die P-Kanal-MOSFETs von Infineon in einem DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie dar, die für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Umkehrpolaritätsschutzanwendungen ausgerichtet ist. Der Hauptvorteil eines P-Kanalgeräts ist die Reduzierung der Konstruktionskomplexität in Mediu

Einfache Schnittstelle zur MCU

Schnelles Schalten

Avalanche-Robustheit

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