Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 75 W, 3-Pin PG-TO252-3

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 7,37

(ohne MwSt.)

€ 8,84

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,737€ 7,37
100 - 240€ 0,701€ 7,01
250 - 490€ 0,649€ 6,49
500 - 990€ 0,596€ 5,96
1000 +€ 0,575€ 5,75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-430
Herst. Teile-Nr.:
IPD040N03LF2SATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

73A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 30-V-Leistungs-MOSFET StrongIRFET 2 von Infineon verfügt über einen erstklassigen RDS(on) von 4 mOhm in einem DPAK-Gehäuse. Dieses Produkt eignet sich für ein breites Spektrum von Anwendungen mit niedriger bis hoher Schaltfrequenz.

Produkte für allgemeine Zwecke

Ausgezeichnete Robustheit

Breite Verfügbarkeit bei Händlern

Standardgehäuse und Pinbelegung

Hohe Fertigungs- und Lieferstandards

Verwandte Links