Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 19 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-3008
Herst. Teile-Nr.:
IPD40DP06NMATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die P-Kanal-MOSFETs von Infineon in einem DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie dar, die für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Umkehrpolaritätsschutzanwendungen ausgerichtet ist. Seine einfache Schnittstelle mit dem MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinen-Robustheit machen ihn geeignet

Einfache Schnittstelle zu MCU

Verbesserte Effizienz bei niedrigen Lasten durch niedrige Qg

Schnelles Schalten

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