Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 273-2805
Herst. Teile-Nr.:: IRF7351TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:: 273-2805
Herst. Teile-Nr.:: IRF7351TRPBF
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	17.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

Ursprungsland:: PH

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF7351TRPBF

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -steuerung in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und wird in einem SO-8-Gehäuse für automatisierte Montageprozesse geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• 17,8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstromschaltvorgängen
• 60 V Vds ermöglicht den Betrieb in Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 8A Id unterstützt eine hohe Dauerstromversorgung
• 36nC Qg verbessert die Schaltsteuerung für Antriebs-Schaltkreis-Design
• 2 W Pd begrenzt die thermische Belastung bei beengten Leiterplatten-Layouts

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-SMD-Leistungsstufen
• Ideal für den Einsatz unter extremen Bedingungen in der Automobilelektronik
• Wird mit kompakten Motor-Treiber-Modulen verwendet
• Kann für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Lastschalter-Implementierungen

Welche Gate-Spannungsbegrenzungen sollten beachtet werden?

Das Gate darf 20 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten, um Schäden zu vermeiden.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Wahl des Einsatzes aus?

Das Gerät funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit erweiterten Temperaturen.

Welche Befestigungsmethode ist für diese Komponente erforderlich?

Er ist für die Oberflächenmontage in einer SO-8-Grundfläche für automatisiertes Löten vorgesehen.

Welcher Kanal-Leitungsmodus ist implementiert?

Der Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus mit N-Typ-Kanalleitung.